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                              RTP电光开关
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                              LGS电光Q开关

                              LGS电光Q开关

                              • 所属分类:电光开关
                              • 浏览次数:
                              • 发布日期:2021-05-24
                              • 产品概述
                              • 性能特点
                              • 技术参数

                                硅酸镓镧晶体(LGS晶体)是一种具有很高损伤阈值的光学非线性材料,电光系数高,电光性能优良,属于三方晶系结构,热膨胀系数较小,热膨胀各向异性较弱,高温的温度稳定性好(优于石英晶体),具有的两个独立电光系数,与BBO晶体的电光系数相当,很大的温度范围内电光系数值保持稳定,该晶体机械性能好、无解离性、不潮解、物理化学性质稳定,具有非常好的综合性能。LGS晶体具有宽的透过波段,从紫外242nm-3550nm都具有很高的透过率。可应用于电光调制、电光调q,缺点是电压较高。


                              LGS晶体和Q开关

                               

                                LGS晶体具有很广泛的应用范围:除了压电效应、旋光效应外,其电光效应性能也非常优越高重复频率、大截面通光孔径、窄脉宽、高功率、高低温等情况LGS晶体电光Q开关都适用,我们应用LGS晶体的电光系数γ11来制作Q开关,选择其较大的纵横比来降低Q开关的半波电压,可应用于更高功率重复频率的全固态激光器的电光调Q,比如:可应用于高平均功率能量大于100W的LD泵浦的Nd:YVO4全固态激光器,zui高频率可达300KHZ,zui高输出可达715w,脉宽为46ns,连续输出可以达到近10w,光损伤阈值是LiNbO3晶体的9-10倍以上,1/2波电压和1/4波电压比同口径BBO开关低,且材料和装配成本低于同口径RTP开关,和DKDP开关比较,不潮解,温度稳定性好,可以应用在恶劣环境,是性能优异的可以满足不同应用领域的电光开关


                              基本属性:

                              化学式

                              La3Ga5SiQ14

                              晶格参数

                              三方晶体a=b=7.453A。,c=6.293A。

                              密度

                              5.75g/cm3

                              熔点

                              1470℃

                              透过波段

                              242-3200nm

                              折射率

                              1.89

                              电光系数

                              Y41=1.8pm/V,γ11=2.3pm/V

                              电导率

                              1.7x1010Ω.cm

                              潮解性

                              不潮解

                               

                              热膨胀系数

                              α11=5.15x10-6/K(⊥Z-axis);

                              α33=3.65x10-6/K(∥Z-axis)

                               

                              标准要求:

                              晶体尺寸

                              2 x 2 - 8 x 8 mm

                              外壳尺寸

                              Dia.30-65 mm

                              消光比

                              >350:1

                              透过畸变

                              λ/6 @ 632.8nm

                              整体透过率

                              >98% @ 1064nm

                              电极间隔离性

                              <1

                              光洁度

                              20/10

                              (膜后40/20)

                              电容

                              9pF

                              镀膜

                              AR/AR @ 1064nm (R<0.2%)

                              抗光伤

                              600MW/cm2 10ns 10Hz 1064nm

                               

                              常规尺寸:

                              型号

                              CPLPC-0845-3065nm

                              CPLPC-0750-3065

                              外壳尺寸

                              Dia.30 x 55mm

                              Dia.30 x 55mm

                              晶体尺寸

                              8 x 8 x 45 mm

                              7x 7 x 50 mm

                              消光比

                              >350:1

                              >350:1

                              整体透过率

                              >98% 

                              >98% 

                              1/4波电压

                              3.2 kv

                              3.2 kv

                              透过畸变

                              λ/6

                              λ/6

                              波长

                              其他波长可订制

                              其他波长可订制


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